RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 14, страницы 33–37 (Mi pjtf3355)

Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным «сэндвич$-$методом» в вакууме

Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, М. И. Федоров, Р. Г. Веренчикова




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024