К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом в процессе жидкофазной эпитаксии при изовалентном легировании

А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев

Реферативные базы данных:

•