RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 21, страницы 12–15 (Mi pjtf3513)

Резонансное туннелирование электронов в двухбарьерной структуре на основе GaAs$-$AlAs

В. Н. Луцкий, Б. К. Медведев, В. Г. Мокерев, А. С. Рылик, Ю. В. Слепнев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024