RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1991
, том 17,
выпуск 2,
страницы
28–32
(Mi pjtf3630)
Эпитаксиальные слои GaAs с фоновым акцепторным легированием
Т. В. Есипова
,
Ю. В. Жиляев
, А. Г. Кечек
, Н. И. Кузнецов
,
Г. Р. Маркарян
, М. Г. Мынбаева
Полный текст:
PDF файл (419 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024