RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1991, том 17, выпуск 2, страницы 28–32 (Mi pjtf3630)

Эпитаксиальные слои GaAs с фоновым акцепторным легированием

Т. В. Есипова, Ю. В. Жиляев, А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, Г. Р. Маркарян, М. Г. Мынбаева




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024