Электрофизические характеристики низкопорогового ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ

А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, И. Б. Пузин, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, М. К. Шейнкман, Г. К. Шерварлы, В. П. Яковлев

Реферативные базы данных:

•