В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 1991, том 17, выпуск 4,страницы 1

ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1991, том 17, выпуск 4, страницы 1–5 (Mi pjtf3672)

Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором

В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков

Реферативные базы данных: