RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1991, том 17, выпуск 4, страницы 6–10 (Mi pjtf3673)

Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, А. Ю. Островский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Г. А. Фокин, В. П. Чалый, М. И. Этинберг, М. Л. Александров, А. А. Майоров, С. С. Романов, М. В. Степанов




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024