Письма в ЖТФ,
1991, том 17, выпуск 4,страницы 6–10(Mi pjtf3673)
Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера,
изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, А. Ю. Островский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Г. А. Фокин, В. П. Чалый, М. И. Этинберг, М. Л. Александров, А. А. Майоров, С. С. Романов, М. В. Степанов