RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1991, том 17, выпуск 22, страницы 57–61 (Mi pjtf4070)

Структурные изменения эпитаксиальной пленки ZnSe/GaAs под действием мягкого рентгеновского излучения

О. Б. Ананьин, Р. З. Багателия, Ю. А. Быковский, В. Ю. Знаменский, А. В. Коваленко




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024