Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков

С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, Г. де ла Круз, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский

Реферативные базы данных:

•