Электронные характеристики модуляционно-легированных гетеропереходных структур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

Г. А. Ахмедов, A. С. Веденеев, В. А. Горбылев, А. Г. Ждан, И. Д. Залевский, Ш. С. Xалилов, А. А. Челный

Реферативные базы данных:

•