RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1987, том 13, выпуск 6, страницы 372–374 (Mi pjtf450)

Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)

Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 05.01.1987



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024