RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1987
, том 13,
выпуск 6,
страницы
372–374
(Mi pjtf450)
Видимые
$In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$
РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (
$\lambda=0.65\div0.67$
мкм,
$I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$
;
$P=5$
мВт,
$\lambda=0.665$
мкм,
$T=300$
K)
Ж. И. Алфёров
,
И. Н. Арсентьев
,
Д. З. Гарбузов
,
Н. А. Стругов
,
А. В. Тикунов
,
Е. И. Чудинова
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию:
05.01.1987
Полный текст:
PDF файл (214 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024