Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии

Показано критическое влияние скорости формирования пленок оксида индия-олова на степень деградации интерфейса $\alpha$-Si : H/$c$-Si в процессе магнетронного распыления. Обнаружено, что при расстоянии между магнетроном и образцом 10 cm происходит снижение времени жизни носителей заряда в кремнии с $\sim$2 ms до 10 $\mu$s, в то время как при уменьшении данного расстоянии до 7 cm за счет уменьшения времени осаждения в 2 раза наблюдается снижение с 1.5 ms до 450 $\mu$s.