Особенности излучательных свойств квантово-размерных частиц узкозонных полупроводников

Для коллоидных квантово-размерных частиц (QP) узкозонных полупроводников в отличие от квантовых точек широкозонного CdSe имела место аномальная температурная зависимость фотолюминесценции в QP-PbS, а в планарной микроструктуре QP-InSb наблюдались длинноволновые излучение (более 3 $\mu$m) и фотопроводимость (более 20 $\mu$m). При определенных условиях интенсивность излучения и сигнал фотопроводимости имеют резонансный максимум. Эффекты объяснены в модели одномерного квантового осциллятора, энергия которого существенно зависит от эффективной массы его квазисвободного электрона. Это приводит к конкуренции проявлений длинноволнового излучения и фотолюминесценции и в связи с этим к аномальной температурной зависимости фотолюминесценции. Предполагается, что QP-InSb в планарной микроструктуре могут быть источниками и приемниками терагерцевого излучения, свойства которых зависят от кристаллической структуры квантово-размерных частиц, определяемой параметрами их синтеза.