Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP

Представлены результаты исследований методом тока, индуцированного электронным зондом, $p$–$n$-переходов на основе InP с кристаллитами GaP в области объемного заряда. Показано, что введение кристаллитов в область пространственного заряда приводит к закорачиванию $p$–$n$-перехода. Качество материала, выращенного поверх кристаллитов, позволяет создавать фотоактивные области, о чем свидетельствуют измерения спектров фотолюминесценции.