Аннотация:
Исследовано влияние расположения массива квантовых точек In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As в $i$-области фотопреобразователя на его фотогенерированный ток, а также темновые токи насыщения, определяющие рабочее напряжение прибора. Установлено, что фотоэлектрические характеристики зависят от расположения квантовых точек относительно электрического поля $p$–$n$-перехода. Смещение массива к границе слаболегированной базы приводит к уменьшению фотогенерированного тока в квантовых точках, но при этом эффект падения напряжения, свойственный наногетероструктурным фотопреобразователям, минимален.
Ключевые слова:фотопреобразователь, квантовые точки, темновой ток насыщения.
Поступила в редакцию: 16.06.2021 Исправленный вариант: 14.07.2021 Принята в печать: 17.07.2021