Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs

Предложен и исследован вариант грибовидной конструкции меза-структуры для лавинных фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs, формируемой с использованием селективного травления. Гетероструктуры для лавинных фотодиодов выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изготовленные образцы тестовых лавинных фотодиодов с диаметром фоточувствительной области $\sim$30 $\mu$m после пассивации поверхности слоем SiN демонстрируют пробивные напряжения в диапазоне 70–80 V, уровень темновых токов 75–200 nA при величине приложенного напряжения 90% от пробивного и величину фотоотклика в линейном режиме более 0.5 A/W при стыковке с одномодовым волокном.