Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей

Выращены варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры с возвратно-поступательным движением жидкой зоны, в которых достигнуто изменение ширины запрещенной зоны от 1.43 до 2.2 eV. Исследовано влияние технологических параметров на изменение ширины запрещенной зоны выращенных твердых растворов Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$. В гетероструктуре p-Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/n-GaAs достигнут максимальный градиент ширины запрещенной зоны 10 490 eV/cm и показано увеличение внешнего квантового выхода в диапазоне длин волн 500–900 nm.