Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков

Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца.