Неравновесные состояния в ВТСП-композитах второго поколения при сверхкритических импульсных токовых воздействиях

Представлены результаты исследования процессов переключения ВТСП-композитов из сверхпроводящего в резистивное состояние при микросекундных токовых импульсах. Применялось два режима импульсной токовой нагрузки: с амплитудой $\sim$1.1$I_{c}$ (так называемый “мягкий” режим, $I_{c}$ – величина критического тока) и с амплитудой $\sim$3$I_{c}$ (“жесткий” режим). Показана возможность пропускания сверхкритических токов через ленту без деградации характеристик сверхпроводника. Для анализа процессов, происходящих в ленте при протекании тока, была разработана 2D FEA (finite element analyses) модель, при помощи которой проведен расчет динамического сопротивления сверхпроводящего слоя ВТСП-композита и продемонстрированы процессы перераспределения тока между слоями ленты.