Эта публикация цитируется в
2 статьях
Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N
С. А. Кукушкинa,
А. В. Осиповb a Санкт-Петербургский государственный университет
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия In
$_{x}$Ga
$_{1-x}$N (0
$<x<$ 1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом
$x$, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших
$x$, т. е. при 0
$<x<$ 0.2 и 0.8
$<x<$ 1, имеется большое количество моноклинных фаз
$Pm$ и
$P2_{1}$, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2
$<x<$ 0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc2
$_{1}$ с составами
$x$ = 1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз In
$_{x}$Ga
$_{1-x}$N. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок In
$_{x}$Ga
$_{1-x}$N повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN.
Ключевые слова:
метод функционала плотности, полупроводники, твердые растворы, гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 19.05.2021
Исправленный вариант: 20.06.2021
Принята в печать: 02.07.2021
DOI:
10.21883/PJTF.2021.19.51516.18879