Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 18,страницы 3

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

Л. К. Марков^a, С. А. Кукушкин^b, И. П. Смирнова^a, А. С. Павлюченко^a, А. С. Гращенко^c, А. В. Осипов^b, Г. В. Святец^d, А. Е. Николаев^a, А. В. Сахаров^a, В. В. Лундин^a, А. Ф. Цацульников^ae

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный университет
^d OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
^e НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC.

Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.

Поступила в редакцию: 18.05.2021
Исправленный вариант: 18.05.2021
Принята в печать: 01.06.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877