Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости

Показана возможность применения спектроскопии полной проводимости для оценки качества структур ITO/МоО$_{x}$/$n$-Si. Продемонстрировано, что при магнетронном напылении слоя ITO при комнатной температуре в приповерхностной области Si вблизи границы МоО$_{x}$/Si формируются радиационные дефекты с глубиной залегания 0.13 и 0.26 eV ниже зоны проводимости с площадью сечения захвата (1–5) $\cdot$ 10$^{-19}$ и (5–10) $\cdot$ 10$^{-19}$ cm$^{2}$ соответственно. Повышение температуры напыления слоя ITO до 130$^\circ$C позволяет снизить концентрацию дефектов ниже порога чувствительности и приводит к значительному улучшению характеристик солнечных элементов.