Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования

Исследовано сопротивление деформированию и трещинообразованию в эпитаксиальных слоях метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon(\kappa)$-политипов оксида галлия (Ga$_{2}$O$_{3}$), выращенных на сапфировых подложках, при их наноиндентировании. Для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (0001) и $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (001) определены значения твердости $H$ (18.7 и 17.5 GPa соответственно) и модуля Юнга $E$ (283.4 и 256.1 GPa соответственно). Установлено, что для $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ коэффициент интенсивности напряжений (характеристика трещиностойкости) K$_{1c}$ $\sim$ 0.67 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$, для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ K$_{1c}$ $\sim$ 0.70 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$.