Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ в обучаемых импульсных нейроморфных сетях

Изучены мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/нанокомпозит/LiNbO$_{3}$/Cu на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ и аморфной прослойки LiNbO$_{3}$ с толщинами около 40 и 20 nm соответственно. Установлено, что данные структуры обладают относительно низкими напряжениями ($\sim$2 V) резистивного переключения при устойчивости к циклическим переключениям более 10$^{4}$ из-за формирования проводящих каналов в LiNbO$_{3}$ в фиксированных областях, задаваемых положением перколяционных цепочек из CoFe-наногранул в нанокомпозите. Показано, что проводимость мемристоров Cu/нанокомпозит/LiNbO$_{3}$/Cu может изменяться по локальным биоподобным правилам. Реализована простая нейроморфная сеть на базе данных мемристоров, обучаемая путем подачи на ее входы частотно-кодированного шумового сигнала.