Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния

Разработана конечно-элементная модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперную характеристику биполярного мемристора на основе оксида гафния Pt/HfO$_{2}$/TiN, которая отражает как высокоомное, так и низкоомное состояние мемристора. Математическим базисом модели явились уравнения Максвелла для стационарного случая. Модель позволяет оценивать связь свойств материалов, входящих в конструкцию мемристора, с его рабочим током.