Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур “кремний на изоляторе” с различной формой базы

Моделируется эффект саморазогрева в наномасштабном беспереходном вертикальном полевом транзисторе, изготовленном на основе структур “кремний на изоляторе” с поперечным сечением базы транзистора в форме прямоугольника, трапеции и треугольника. Показано, что для рассматриваемых структур температура в середине транзистора ниже, чем по его боковым граням около истока и стока. Помимо этого при прочих одинаковых условиях температура решетки зависит также от формы поперечного сечения базы.