RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 10, страницы 19–21 (Mi pjtf4784)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Особенности расчета и исследования вольт-эрстедной характеристики анизотропного магниторезистивного датчика

В. В. Амеличевa, Д. А. Жуковa, С. И. Касаткинb, Д. В. Костюкa, О. П. Поляковbc, П. А. Поляковc, В. С. Шевцовbc

a НПК "Технологический Центр", Москва, Зеленоград, Россия
b Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований влияния величины собственного тока на характеристики анизотропных магниторезистивных датчиков магнитного поля на основе сплава FeNiCo со структурой типа “barber-polе”. Установлено существенное различие вольт-эрстедных характеристик прямого и обратного хода при увеличении собственного тока, вызванного входным напряжением питания, при достаточно больших внешних магнитных полях. Проведен теоретический расчет вольт-эрстедной характеристики в рамках модели одномерной неоднородности распределения намагниченности; полученная характеристика совпадает с экспериментальными данными для прямого хода.

Ключевые слова: теория микромагнетизма, магниторезистивный эффект, преобразователь магнитного поля, магниторезистивная наноструктура.

Поступила в редакцию: 30.06.2020
Исправленный вариант: 11.12.2020
Принята в печать: 18.02.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.10.50967.18445


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:6, 482–484

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024