Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами

Исследовано влияние облучения низкоэнергетическими протонами на импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических структур. Для измерения использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной амплитудой 10 mV и частотой 200 kHz и 1 MHz. Показано, что облучение протонами с энергией 180 keV и дозой 10$^{15}$ cm$^{-2}$ создает в области пространственного заряда $n^{+}$–$p$-перехода область с высокой концентрацией радиационных дефектов. Такие элементы могут использоваться для создания быстродействующих фотодиодов с рабочей частотой модуляции 18 MHz.