Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN

Изготовлены пластины кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза, в которых слои кремния и алмаза имели толщину 234 nm и 250 $\mu$m соответственно. Теплопроводность алмаза составила 1290 $\pm$ 190 W/(m $\cdot$ K). Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза выращены нитридные гетероструктуры с двумерным электронным газом. Подвижность электронов в двумерном электронном газе и его слоевое сопротивление составили 1600 cm$^{2}$/(V $\cdot$ s) и 300 $\Omega/\square$ соответственно.