Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge

Проведены исследования и разработана технология формирования разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge. Исследованы методы травления слоев гетероструктуры: жидкостное химическое травление в составах на основе HBr, K$_{2}$Cr$_{2}$O$_{7}$, H$_{2}$O и плазмохимическое травление в потоке рабочего газа BCl$_{3}$. Проведен сравнительный анализ методов травления. Разработаны защитные маски на основе слоя фоторезиста и TiO$_{x}$/SiO$_{2}$. Получены каскадные солнечные элементы с низкими значениями токов утечки (менее 10$^{-7}$ A при напряжении 0.5–1 V).