А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. Э. Ячменев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, А. М. Буряков, Е. Д. Мишина, “Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 22,страницы 10

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением

А. В. Горбатова^a, Д. И. Хусяинов^a, А. Э. Ячменев^b, Р. А. Хабибуллин^b, Д. С. Пономарев^b, А. М. Буряков^a, Е. Д. Мишина^a

^a МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва

Аннотация: Предложен высокочувствительный терагерцевый (THz) детектор на основе фотопроводящей антенны (ФПА) с плазмонным усилением на базе сверхрешеточной гетероструктуры InGaAs/InAlAs. Экспериментально обнаружено заметное увеличение фототока, регистрируемого плазмонным ФПА-детектором, и отношения сигнал/шум по сравнению с аналогичными параметрами для ФПА-детектора без плазмонных электродов. Эффективность работы плазмонных электродов экспериментально подтверждена методом импульсной THz-спектроскопии посредством измерения зависимости амплитуды THz-сигнала детектора от поляризации падающего лазерного излучения накачки.

Ключевые слова: фотопроводящая антенна, терагерцевый детектор, сверхрешетка, InGaAs/InAlAs, плазмонная решетка, плазмонные электроды.

Поступила в редакцию: 30.06.2020
Исправленный вариант: 29.07.2020
Принята в печать: 29.07.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50300.18442