Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, А. М. Смирнов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, “Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 22,страницы 43

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере

Д. А. Закгейм^ab, Д. Ю. Панов^a, В. А. Спиридонов^a, А. В. Кремлева^a, А. М. Смирнов^a, Д. А. Бауман^a, А. Е. Романов^ab, М. А. Одноблюдов^ac, В. Е. Бугров^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Сообщается об успешных экспериментах по выращиванию кристаллов бета-оксида галлия методом Чохральского. Исследовалось влияние состава ростовой атмосферы на кристаллическое совершенство материала. Показано, что для получения высококачественных оптически прозрачных кристаллов необходимо наличие в атмосфере роста около 5 vol.% кислорода. Проведены рентгеноструктурный анализ и исследование спектров оптического пропускания выращенных кристаллов.

Ключевые слова: оксид галлия, вытягивание из расплава, метод Чохральского, кислородные вакансии.

Поступила в редакцию: 05.08.2020
Исправленный вариант: 05.08.2020
Принята в печать: 16.08.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499