RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 20, страницы 7–10 (Mi pjtf4958)

Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS

М. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: В пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольт-амперные характеристики пленки InSb на CdS, так же как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро)–CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению.

Ключевые слова: полупроводниковые пленки, коллоидные квантовые точки, пассивация, спектроскопия комбинационного рассеяния.

Поступила в редакцию: 20.02.2020
Исправленный вариант: 10.07.2020
Принята в печать: 15.07.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:10, 1000–1003

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024