Аннотация:
В пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольт-амперные характеристики пленки InSb на CdS, так же как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро)–CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению.