Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов

Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP на длину волны 1.06–1.60 $\mu$m. Достигнуты абсолютная спектральная чувствительность $\sim$0.59 A/W и быстродействие $\sim$10 ns. Пороговая чувствительность для изготовленных фотодиодов находится в диапазоне 2 $\cdot$ 10$^{-10}$–5 $\cdot$ 10$^{-11}$ W при соотношении сигнал/шум 10.