Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs

Предложена и апробирована конструкция туннельного перехода (ТП) на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных по технологии спекания пластины с оптическим резонатором InAlGaAsP/InP и пластин с распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs/GaAs. Наличие слоев InGaAs, устойчивых к окислению, позволяет использовать молекулярно-пучковую эпитаксию на всех этапах технологии изготовления ВИЛ, в том числе для заращивания поверхностного рельефа в слое ТП. При этом благодаря эффекту Бурштейна–Мосса в $n^{++}$-InGaAs и минимизации толщины слоя $p^{++}$-InGaAs удалось избежать роста внутренних оптических потерь. В результате характеристики изготовленных приборов сравнимы с характеристиками ВИЛ, использующих ТП $n^{++}$/$p^{++}$-InAlGaAs и имеющих аналогичный уровень потерь на вывод излучения.