Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов

Проведен теоретический анализ кинетики роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V по механизму пар-жидкость-кристалл при наличии конкуренции трех процессов: скорости осаждения элемента группы V; поступления в каплю атомов группы III с учетом поверхностной диффузии; нуклеации зародышей на границе жидкость-кристалл. Получено обобщенное выражение для скорости вертикального роста нитевидного нанокристалла, которое может быть лимитировано одним из трех указанных процессов. Проанализированы различные режимы роста с Au- и Ga-катализаторами в зависимости от потоков элементов групп III и V и радиуса нитевидного нанокристалла.