RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 17, страницы 43–46 (Mi pjtf5010)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полностью оптический магнитометрический датчик для задач магнитоэнцефалографии и томографии сверхслабого поля

А. К. Вершовский, А. С. Пазгалев, М. В. Петренко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен и экспериментально исследован вариант схемы магнитометрического датчика на атомарных парах цезия, использующий возбуждение магнитного резонанса модулированным излучением поперечной по отношению к магнитному полю сверхтонкой оптической накачки. Показано, что при использовании ячейки объемом 0.125 cm$^{3}$ вариационная чувствительность такой схемы, оцененная по отношению крутизны сигнала в центре магнитного резонанса к дробовым шумам детектирующего излучения, достигает уровня $<$ 10 fT/Hz$^{1/2}$ в полосе частот порядка 850 Hz. Датчик, не излучающий радиочастотные поля, предназначен для работы в магнитоэнцефалографических комплексах. Рассмотрены возможные способы повышения быстродействия схемы для детектирования относительно быстрых ($\sim$4.2 kHz в поле 0.1 mT) сигналов прецессии магнитных моментов протонов в перспективных схемах томографии сверхслабого поля.

Ключевые слова: оптически детектируемый магнитный резонанс, квантовый магнитометр, магнитоэнцефалография, томография сверхслабого поля.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 23.05.2020
Принята в печать: 01.06.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49894.18340


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:9, 877–880

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024