Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки $n^{+}$-GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков $p$-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и спектральные характеристики. Микродиски способны работать в непрерывном режиме без принудительного охлаждения с пороговой плотностью тока около 0.7 kA/cm$^{2}$. Длина волны генерации стабильна ($<$ 0.1 nm/mA) по отношению к току инжекции.