Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

Предложен новый метод получения поликристаллического кремния путем индий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 ($\alpha$-SiO$_{0.5}$). Показано, что использование индия в процессе отжига $\alpha$-SiO$_{0.5}$ позволяет снизить температуру кристаллизации до 600$^\circ$C, что существенно ниже температуры твердотельной кристаллизации такого материала (850$^\circ$C). В результате процесса индий-индуцированной кристаллизации $\alpha$-SiO$_{0.5}$, протекающего в высоком вакууме, происходит формирование свободностоящих частиц кристаллического кремния микронного размера.