Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей

Исследованы спектры электролюминесценции и зависимости напряжения холостого хода от фотогенерированного тока для GaAs-солнечных элементов, $p$ – $n$-переход которых содержал различное количество рядов $(r)$ квантовых объектов на основе слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As. Для всех образцов получены значения тока насыщения ($J_{0}$), ширины запрещенной зоны квантового объекта $(E_g^Q)$ и падения напряжения холостого хода $(\Delta V_{oc})$ относительно реферного ($r$ = 0) образца. Предложена модель, адекватно описывающая зависимости $J_{0}(r)$ и $\Delta V_{oc}(r)$, и найдены модельные параметры, в том числе токовый инвариант $J_{z}$ = 1.4 $\cdot$ 10$^{5}$ A/cm$^{2}$, однозначно связывающий ток насыщения с шириной запрещенной зоны квантового объекта.