RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 19–21 (Mi pjtf5086)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электропроводность монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном токе

Н. Н. Нифтиевa, Ф. М. Мамедовb, М. Б. Мурадовc

a Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, г. Баку
c Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан

Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном электрическом токе. Установлено, что в температурном интервале 295.5–360 K при частотах 2 $\cdot$ 10$^{4}$–10$^{6}$ Hz для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\sim f^{S}$(0.1 $\le S\le$ 1.0). Показано, что в монокристалле MnGaInSе$_{4}$ зависимость электропроводности от частоты можно объяснить при помощи мультиплетной модели, а проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. На основе зависимостей $\lg\sigma\sim$10$^{3}$/$T$ определены энергии активации.

Ключевые слова: переменный ток, электропроводность, частота, зонно-прыжковый механизм, энергия активации, MnGaInSе$_{4}$.

Поступила в редакцию: 11.02.2020
Исправленный вариант: 11.02.2020
Принята в печать: 10.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49493.18241


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:6, 536–538

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024