Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста

Предложена методика формирования бикристаллической пленки ZnO c использованием особенностей метода магнетронного распыления и ориентирующего действия ромбоэдрической плоскости сапфира. Показано, что при последовательном использовании двух режимов осаждения ($\sim$2 и $\sim$16 nm/s) формируется бикристаллическая пленка с (110)-ориентированным нижним подслоем и (002)-ориентированным верхним. Рекристаллизационный отжиг при 1000$^\circ$C в течение 10 h не влияет на верхний (002)-ориентированный слой и приводит к релаксации напряжений в нижнем (110)-ориентированном слое.