Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала

Моделируется влияние формы канала вертикального полевого транзистора с изолированным затвором на амплитуду случайного телеграфного шума, индуцированного единичным зарядом, встроенным на граничных ловушках. Рассматриваются транзисторы с прямоугольным и трапециевидным поперечным сечением канала. Показано, что при встраивании единичного граничного заряда в потолке канала в подпороговой области напряжений на затворе амплитуда шума для транзистора с трапециевидным поперечным сечением меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Однако при встраивании единичного заряда в середине боковой поверхности канала амплитуда случайного телеграфного шума существенно больше для трапециевидного сечения.