RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 10, страницы 38–41 (Mi pjtf5105)

Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке с помощью гетероэпитаксиального синтеза

И. А. Сорокинab, Д. В. Колодкоab, В. А. Лузановa, Е. Г. Шустинa

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Представлены результаты отработки методики получения тонких графитовых пленок на диэлектрической подложке методом отжига структуры Al$_{2}$O$_{3}$(0001)/Ni(111)/$ta$-C. Методика основана на каталитическом разложении углеводородов на поверхности монокристаллической пленки металла-катализатора на диэлектрической подложке и последующей диффузии и кристаллизации углерода между металлической пленкой и подложкой. После химического травления металлической пленки получается тонкая графитовая пленка с низкой плотностью дефектов кристаллической структуры на диэлектрической подложке.

Ключевые слова: графен, гетероэпитаксия, металл-катализатор, синтез, никель, диэлектрическая подложка.

Поступила в редакцию: 19.12.2019
Исправленный вариант: 28.02.2020
Принята в печать: 02.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.10.49431.18160


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:5, 497–500

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024