Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере

Определена связь между шириной запрещенной зоны GaInAs гомо-$p$–$n$-переходов и током насыщения. Для этого предложен и обоснован метод определения ширины запрещенной зоны $p$–$n$-перехода по спектру квантового выхода фототока. Метод применен для Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов, полученных с помощью металлоорганической газофазной эпитаксии; $p$–$n$-переходы выращивались на метаморфных буферах. Разница между шириной запрещенной зоны, определенной при помощи предложенного метода и по положению максимума спектра электролюминесценции, не превышала 3 meV. Установлено, что ток насыщения экспоненциально зависит от ширины запрещенной зоны и эта зависимость характеризуется токовым инвариантом.