Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона

Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, что такие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрах поглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвига между уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленные эффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурах GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As для ФПУ.