Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом

Представлены результаты синтеза методом реактивного ионно-плазменного распыления тонких пленок нитрида алюминия и исследования их свойств с целью применения в качестве защитных покрытий торцевых резонаторов мощных полупроводниковых лазерных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Исследования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и результаты эллипсометрии показали, что при остаточном давлении в камере порядка $\sim$10$^{-5}$ Torr в пленках образуется слой оксинитрида алюминия. При этом гетерограница пленка-подложка может претерпеть окисление. Однако пленки AlN толщиной порядка 100 nm, выращенные в среде чистого азота при остаточном давлении $\sim$10$^{-7}$ Torr, по-видимому, не содержат в составе кислород и могут надежно препятствовать его проникновению в область гетерограницы. Потенциально они могут служить эффективной защитой для гетероструктур, чувствительных к окислению.