Пространственное распределение каналируемых ионов и пробеги изотопов водорода в кристаллическом кремнии и вольфраме

Рассчитаны пробеги ионов H, D в кристаллическом Si и W. Показано, что с ростом энергии ионов распределение пробегов по глубине распадается на две компоненты: одна связана с рассеянием атомов в поверхностных слоях, а другая характеризует частицы, захваченные в канал. Обнаружено новое явление: после прохождения небольшого расстояния формируется устойчивая пространственная структура компоненты пучка, захваченной в канал. При торможении ионов начинается переход частиц в соседние каналы, и вблизи точки остановки пространственная структура пучка частиц, захваченных в канал, разрушается. Предложена схема эксперимента, позволяющая связать полученное пространственное распределение с угловыми распределениями вылетевших частиц.