А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 3,страницы 51

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs

А. А. Семакова^ab, С. Н. Липницкая^b, К. Д. Мынбаев^a, Н. Л. Баженов^a, С. С. Кижаев^c, А. В. Черняев^acd, Н. Д. Стоянов^c, H. Lipsanen^be

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c ООО "Микросенсор Технолоджи", г. Санкт-Петербург
^d Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
^e Aalto University, Aalto, Finland

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования, расчеты с использованием пакета MATLAB и моделирование в среде COMSOL Multiphysics cпектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs, излучающих в среднем инфракрасном диапазоне. Путем сопоставления результатов экспериментов, расчетов и моделирования построена картина формирования спектров излучения гетероструктур. Полученные результаты подтверждают перспективы использования моделирования при конструировании светодиодных структур.

Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, арсенид индия, электролюминесценция.

Поступила в редакцию: 18.07.2019
Исправленный вариант: 18.07.2019
Принята в печать: 08.11.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2020.03.48994.17987