Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)

Предложен метод синтеза гексагонального слоя AlN на подложке Si(100) с наноструктурированной $V$-образной поверхностью, для которой угол между наклонной плоскостью “нанохребта” и Si(100) составляет 47$^\circ$. Показано, что метод хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой AlN(10$\bar1$2) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания $\omega_{\theta}\sim$60 arcmin. Обнаружено, что спектры комбинационного рассеяния света полуполярного слоя AlN(10$\bar1$2) содержат дополнительные пики на кривых комбинационного рассеяния света, cвязанные с фононами $A_{1}$(TO) и $E_{1}$(TO), в отличие от полярного слоя AlN(0001), где дополнительно проявляется пик $A_{1}$(LO).